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    BSS138LT1GBSS138Q-7-F、BSS138-7-F、BSS138-TP 的区别

    BSS138LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.25877

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    BSS138Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.38157

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    BSS138-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.09204

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    BSS138-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.11001

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    配置单路--单路
    包装Tape/reel带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)50V50V50V50V
    连续漏极电流200mA200mA200mA220mA
    阈值电压1.5V@1mA1.5V@250µA1.5V1.5V@1mA
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    最小包装3000pcs-3000pcs3000pcs
    是否无铅YesYesNoYes
    栅极源极击穿电压±20V-±20V±20V
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    击穿电压50V---
    原始制造商ON Semiconductor Inc.--Micro Commercial Components
    原产国家America--America
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5V,200mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA
    认证信息RoHS---
    输入电容40pF50pF50pF60pF
    额定功率225mW300mW300mW350mW
    印字代码J1 M= =---
    反向传输电容Crss3.5pF--15pF
    功率耗散225mW300mW300mW350mW
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    存储温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    高度1.00mm1.025mm1.05mm1.10mm
    品牌ON-DIODESMCC
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    栅极电荷(Qg)----
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    制造商标准提前期-12 周12 周-
    系列----
    Vgs(Max)--±20V±20V
    漏极电流--200mA-
    充电电量----
    脚间距--1.92mm-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--10V-
    元件生命周期---Active
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