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    GRM155R60J475ME47DBC817-25、BC817-25_R1_00001、BC817-25LT1G 的区别

    GRM155R60J475ME47D

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.09250

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    BC817-25

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

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    BC817-25_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.09951

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    BC817-25LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.15789

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    ECCN编码
    等级----
    精度±20%---
    长x宽/尺寸1.00 x 0.50mm2.90 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    封装/外壳0402SOT-23SOT-23SOT-23
    特性Original---
    额定电压6.3V---
    脚间距0.75mm---
    容值4.7μF---
    包装Tape/ReelTape/reel-Tape/reel
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)--1(无限)
    应用领域Consumer---
    温度系数TfX5R---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    品牌MuRataDiotecPANJITON
    高度0.50mm1.10mm1.00mm1.00mm
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    系列GRM-BC817-
    是否无铅Yes-YesYes
    电介质X5R---
    DC电流增益(hFE)-160~400160@100mA,1V160@100mA,1V
    跃迁频率-100MHz-100MHz
    Vce饱和压降-700mV-700mV
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V45V
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA-100nA
    额定功率-310mW330mW300mW
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    集电极电流 Ic-800mA500mA500mA
    功率耗散-310mW330mW300mW
    极性-NPN-NPN
    发射极基极导通电压VBE(on)-1.2V-1.2V
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-5V
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-45V45V45V
    特征频率(fT)-100MHz100MHz100MHz
    原始制造商-Diotec Semiconductor AG-ON Semiconductor Inc.
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V-45V
    原产国家--ChinaAmerica
    认证信息--RoHSRoHS
    存储温度---55℃~+150℃-
    元件生命周期--ActiveActive
    配置---单路
    制造商标准提前期---12 周
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
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