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ES1D-E3/61T 与
AO3400A、AO3400A、AO3400A 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.25932 查看详情 | 制造商：UMW 最优价格：￥0.09130 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.25932 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 反向漏电流IR | 5μA | - | - | - |
| 反向恢复时间(trr) | 25ns | - | - | - |
| 速度 | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 正向压降VF | 920mV | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 二极管配置 | 单路 | - | - | - |
| 平均整流电流 | 1A | - | - | - |
| 反向耐压VR | 200V | - | - | - |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 工作温度-结 | -55°C~150°C | - | - | - |
| 封装/外壳 | DO-214AC | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 反向峰值电压（最大值） | 200V | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 结电容 | 10pF | - | - | - |
| 应用 | 汽车 | - | - | - |
| 最大有效值电压Vrms | 140V | - | - | - |
| 总电容C | 10pF | - | - | - |
| 最大直流阻断电压VDC | 200V | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 脚间距 | 3.96mm | - | - | - |
| 品牌 | Vishay | AOS | UMW | AOS |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Alpha and Omega Semiconductor | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | Alpha and Omega Semiconductor |
| 原产国家 | America | America | China | America |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 最小包装 | 1800pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 长x宽/尺寸 | 4.50 x 2.79mm | 2.90 x 1.60mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.60mm |
| 系列 | ES1A - ES1D | - | - | - |
| 高度 | 2.29mm | 1.25mm | 1.15mm | 1.25mm |
| 制造商标准提前期 | 27 周 | - | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 正向压降VF Max | 920mV | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| 漏极电流 | - | 5.7A | - | 5.7A |
| Vgs(Max) | - | ±12V | ±12V | ±12V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 阈值电压 | - | 1.5V@250µA | 1.1V | 1.5V@250µA |
| 连续漏极电流 | - | 5.7A | 5.8A | 5.7A |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | - | N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 26.5mΩ@10V,5.7A | 28mΩ | 26.5mΩ@10V,5.7A |
| 额定功率 | - | 1.4W | - | 1.4W |
| 类型 | - | 1个N沟道 | - | 1个N沟道 |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 输入电容 | - | 630pF@15V | 823pF | 630pF@15V |
| 击穿电压 | - | 30V | 30V | 30V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 2.5V，10V | - | 2.5V，10V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±12V | ±12V | ±12V |
| 反向传输电容Crss | - | 50pF | 77pF | 50pF |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 充电电量 | - | 6nC | - | 6nC |
| 功率耗散 | - | 1.4W | 1.4W | 1.4W |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 9.7nC | - |
| 认证信息 | - | - | RoHS | - |
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