购物车
上传BOM
G3R40MT12J 与
XC6209F332MR 的区别
制造商：GeneSiC Semiconductor 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Torex 最优价格：￥0.64961 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -40℃~+85℃ | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 包装 | Tube packing | - | ||
| 栅极电荷(Qg) | 106nC | - | ||
| 封装/外壳 | TO263-8 | SOT25 | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| Vgs(Max) | ±15V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 1.2KV | - | ||
| 漏极电流 | 75A | - | ||
| 阈值电压 | 2.69V | - | ||
| 连续漏极电流 | 75A | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 原始制造商 | GeneSiC Semiconductor | Torex Semiconductor Ltd. | ||
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor | Torex | ||
| 系列 | G3R™ | XC6209 | ||
| 功率耗散 | 374W | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±15V | - | ||
| 沟道类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 15V | - | ||
| 输入电容 | 2.929nF | - | ||
| 技术路线 | SiCFET (Silicon Carbide) | - | ||
| 输出配置 | - | Positive | ||
| 输出类型 | - | 固定 | ||
| 引脚数 | - | 5Pin | ||
| 输出电压 | - | 3.3V | ||
| 工作电流 | - | 3μA | ||
| 输出电流 | - | 300mA | ||
| 输出电压精度 | - | ±2% | ||
| 电源抑制比(PSRR) | - | 70dB | ||
| 存储温度 | - | -55~+125℃ | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.60mm | ||
| 高度 | - | 1.10mm | ||
| 最小包装 | - | 3000pcs | ||
| 输入电压 | - | 6V | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 原产国家 | - | Japan | ||
| 输出通道数 | - | 1 | ||
| 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监