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    GD30MPS12JAO3413、VB2290、AO3415 的区别

    GD30MPS12J

    制造商:GeneSiC Semiconductor

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    AO3413

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.32276

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    VB2290

    制造商:VBsemi

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    AO3415

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    反向恢复时间(trr)0ns---
    工作温度-结+175℃---
    速度无恢复时间>500mA(Io)---
    平均整流电流30A---
    反向耐压VR1200V---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    技术SiC(Silicon Carbide)Schottky---
    封装/外壳TO-263-8,D²Pak(7引线+接片),TO-263CASOT-23SOT-23SOT-23
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    系列SiC Schottky MPS™---
    原始制造商GeneSiC SemiconductorAlpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. LtdAlpha and Omega Semiconductor
    漏极电流-3A-4A
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    FET功能----
    Vgs(Max)-±8V±12V±8V
    配置-单路单路单路
    阈值电压-1V@250µA-1V@250µA
    连续漏极电流-2.4A4.5A3.5A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    品牌-AOSVBsemiAOS
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-97mΩ@4.5V,3A43mΩ43mΩ@4.5V,4A
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率-1.4W-1.5W
    类型-1个P沟道-1个P沟道
    输入电容-540pF@10V835pF1.45nF@10V
    击穿电压-20V20V20V
    栅极源极击穿电压-±8V±12V±8V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V-1.5V,4.5V
    反向传输电容Crss-70pF155pF80pF
    充电电量-11nC10nC9.3nC
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-1.4W1.25W1.5W
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    原产国家-AmericaChina TaiwanAmerica
    制造商标准提前期-16 周-16 周
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    高度-1.25mm1.12mm1.25mm
    是否无铅-Yes-Yes
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    认证信息---RoHS
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