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GD30MPS12J 与
AO3415A、AO3419、AO3413 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-8,D²Pak(7引线+接片),TO-263CA | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns | - | - | - |
| 工作温度-结 | +175℃ | - | - | - |
| 速度 | 无恢复时间>500mA(Io) | - | - | - |
| 平均整流电流 | 30A | - | - | - |
| 反向耐压VR | 1200V | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 技术 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | - | - | - |
| 原始制造商 | GeneSiC Semiconductor | Alpha and Omega Semiconductor | - | Alpha and Omega Semiconductor |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 系列 | SiC Schottky MPS™ | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 850mV@250µA | 1.4V@250μA | 1V@250µA |
| 漏极电流 | - | 5A | - | 3A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±12V | ±8V |
| 连续漏极电流 | - | 5A | 2.8A | 2.4A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 原产国家 | - | America | - | America |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 高度 | - | 1.25mm | 1.25mm | 1.25mm |
| 额定功率 | - | 1.5W | 1.4W | 1.4W |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 45mΩ@4.5V,4A | 85mΩ@4.5V,3A | 97mΩ@4.5V,3A |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 品牌 | - | AOS | AOS | AOS |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 击穿电压 | - | 20V | - | 20V |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 16 周 | 16 周 |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | - | ±8V |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 反向传输电容Crss | - | 80pF | 37pF@10V | 70pF |
| 输入电容 | - | 940pF@10V | 400pF@10V | 540pF@10V |
| 充电电量 | - | 9.3nC | - | 11nC |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.5V，4.5V | 1.8V，10V | 1.8V，4.5V |
| 功率耗散 | - | 1.5W | 1.4W | 1.4W |
| 脚间距 | - | - | 1.9mm | - |
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