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    G3R30MT12JSS16T3G、NRVBA340T3G、SM160A 的区别

    G3R30MT12J

    制造商:GeneSiC Semiconductor

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    SS16T3G

    制造商:ON

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    NRVBA340T3G

    制造商:ON

    最优价格:¥1.06031

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    SM160A

    制造商:LRC

    最优价格:¥0.17752

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    ECCN编码
    封装/外壳TO-263-7(D2PAK)SMA(DO-214AC)SMA(DO-214AC)SMA(DO-214AC)
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    连续漏极电流200A---
    漏源电压(Vdss)1.2KV---
    漏极电流96A---
    功率耗散408mW---
    长x宽/尺寸10.18 x 9.08mm4.32 x 2.60mm4.32 x 2.60mm5.30 x 2.80mm
    高度4.43mm2.10mm2.10mm2.55mm
    极性N-沟道---
    栅极源极击穿电压1200V---
    沟道类型1个N沟道---
    引脚数7Pin2Pin2Pin2Pin
    反向漏电流IR-5μA15mA500µA
    平均整流电流-1A3A1A
    工作温度-结--55°C~150°C-55°C~150°C-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    包装-Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    反向峰值电压(最大值)-60V40V60V
    反向耐压VR-60V40V60V
    正向压降VF-720mV450mV700mV
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)-
    二极管配置-单路单路独立式
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-40℃~+125℃
    二极管类型-肖特基肖特基-
    反向恢复时间(trr)----
    品牌-OnsemiOnsemiLRC
    正向压降VF Max-510mV-700mV
    是否无铅-YesYes-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-40A100A30A
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-40~+125℃
    应用-汽车通用-
    最小包装-5000pcs5000pcs3000pcs
    原始制造商-ON SemiconductorON SemiconductorLeshan Radio Co., Ltd.
    制造商标准提前期-12 周23 周-
    原产国家-AmericaAmericaChina
    系列----
    脚间距-4.06mm--
    零件状态-ActiveActiveActive
    元件生命周期---Active
    结电容---110pF
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