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IRS2186STRPBF 与
IRS2186SPBF、IRS2186STRPBF、IRS2186SPBF 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 输出电流 | 4A | - | 4A | - |
| 通道类型 | Independent | Independent | Independent | Independent |
| 输出类型 | - | - | - | - |
| 工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 引脚数 | 8Pin | - | 8Pin | - |
| 上升/下降时间 | 22ns，18ns | 22ns，18ns | 22ns，18ns | 22ns，18ns |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | - | 4.90 x 3.90mm | - |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 系列 | - | - | - | - |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT |
| 品牌 | Infineon | Infineon | Infineon | Infineon |
| 驱动器数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET |
| 峰值灌电流 | 4A | 4A | 4A | 4A |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V，2.5V | 0.8V，2.5V | 0.8V，2.5V | 0.8V，2.5V |
| 峰值拉电流 | 4A | 4A | 4A | 4A |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A | 4A，4A | 4A，4A | 4A，4A |
| 输入类型 | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | 600V | 600V | 600V |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ |
| 最小包装 | 2500 | - | 2500 | - |
| 高度 | 1.75mm | - | 1.75mm | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 下降时间 | - | 18ns | - | 18ns |
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