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AO4449 与
DMP3098LSS-13、ZXMP3A16N8TA 的区别
制造商：AOS 最优价格：￥0.90340 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.53000 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥3.33108 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 配置 | 单路 | 单路 | - | |
| 阈值电压 | 2.4V | -2.1V | 1V@250µA | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | |
| 封装/外壳 | SO-8_4.9X3.9MM | SOIC8_150MIL_EP | SOT96-1 | |
| 连续漏极电流 | 7A | 5.3A | 5.6A | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | - | |
| 充电电量 | 16nC | 4nC | - | |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | 16 周 | 12 周 | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.95 x 3.90mm | - | |
| 输入电容 | 910pF | 336pF | 1.022nF | |
| 高度 | 1.50mm | 1.75mm | - | |
| 品牌 | AOS | DIODES | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | 2500pcs | - | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@7A,10V | 65mΩ@10V,5.3A | 40mΩ | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 额定功率 | 3.1W | 2.5W | 1.9W | |
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 系列 | - | - | - | |
| 功率耗散 | 3.1W | 2.5W | 1.9W | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 是否无铅 | No | Yes | Yes | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V | |
| 漏极电流 | - | 5.3A | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 4.0nC | 29.6nC | |
| 无卤 | - | Yes | - | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
| 原始制造商 | - | Diodes Incorporated | - | |
| 原产国家 | - | America | - | |
| 击穿电压 | - | -30V | - | |
| 反向传输电容Crss | - | 49pF | - | |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | |
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