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    LT3045EDD#PBFMMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别

    LT3045EDD#PBF

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05600

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19710

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    ECCN编码
    输出电压0V~15V---
    引脚数10Pin3Pin3Pin3Pin
    封装/外壳DFN-10-EP(3x3)SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    高度0.75mm1.10mm1.11mm1.11mm
    长x宽/尺寸3.00 x 3.00mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    跃迁频率-100MHz--
    DC电流增益(hFE)-5025080~250
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    品牌-DIODESONON
    零件状态-ActiveActiveActive
    系列-Original--
    特征频率(fT)-300MHz--
    最小包装-3000pcs3000pcs10000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)-500nA(ICBO)100nA100nA
    制造商标准提前期-12 周12 周12 周
    功率耗散-300mW225mW225mW
    极性--NPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率-300mW225mW225mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    是否无铅-YesYesYes
    配置--单路单路
    印字代码--G1G1
    原产国家--AmericaAmerica
    原始制造商--ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    脚间距--1.9mm-
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V6V
    集电极-基极电压(VCBO)--180V180V
    元件生命周期--Active-
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