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    LT3045EDD#PBFMMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP 的区别

    LT3045EDD#PBF

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    ECCN编码
    输出电压0V~15V---
    引脚数10Pin3Pin3Pin3Pin
    封装/外壳DFN-10-EP(3x3)SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    高度0.75mm1.11mm1.11mm1.00mm
    长x宽/尺寸3.00 x 3.00mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    DC电流增益(hFE)-25080~250100
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降-200mV200mV500mV
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    配置-单路单路-
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    跃迁频率---100MHz
    最小包装-3000pcs10000pcs3000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA100nA50nA(ICBO)
    额定功率-225mW225mW300mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    脚间距-1.9mm--
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    功率耗散-225mW225mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V6V-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    集电极-基极电压(VCBO)-180V180V-
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    品牌-ONONMCC
    是否无铅-YesYesYes
    极性-NPNNPNNPN
    元件生命周期-Active-Active
    印字代码-G1G1-
    制造商标准提前期-12 周12 周8 周
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorMicro Commercial Components
    系列---Original
    特征频率(fT)---100MHz
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