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    UPC2762TB-E3-ANTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

    UPC2762TB-E3-A

    制造商:CEL

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SC-70-6SOT-23SOT-23SOT-23
    电源电压2.7V~3.3V---
    RF类型手机,GPS,PCS---
    增益11.5dB~17.5dB---
    频率2.7GHz~2.9GHz---
    P1dB4.5dBm(2.8mW)~7dBm(5mW)---
    系列----
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    引脚数6Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度0.90mm1.00mm1.00mm1.03mm
    测试频率1.9GHz---
    电流-电源27mA~35mA---
    噪声系数7dB~9dB---
    零件状态上次购买时间ActiveActiveActive
    连续漏极电流-1.13A4A3A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V12V30V
    漏极电流-1.13A4A3.5A
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±8V±12V
    配置-单路--
    阈值电压-3V@250µA1V1.3V
    栅极源极击穿电压-±20V±8V±12V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-50pF235pF62pF
    充电电量-6nC15.8nC24nC
    功率耗散-400mW800mW700mW
    存储温度--55℃~+150℃--
    制造商标准提前期-20 周8 周8 周
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    印字代码-TR2 M= =--
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    认证信息-RoHS--
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    品牌-ONDIODESDIODES
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
    输入电容-200pF@15V1.357nF864pF
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率-400mW800mW700mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V-2.5V,10V
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    击穿电压-30V--
    栅极电荷(Qg)--15.8nC24nC
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