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    1122-6-ALMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

    1122-6-AL

    制造商:RAF

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    ECCN编码
    特性----
    公母母头,母头---
    材料---
    螺钉,螺纹规格----
    直径-外部6.35mm---
    类型圆形垫片---
    颜色----
    零件状态在售ActiveActiveActive
    高度3.18mm1.11mm1.00mm1.10mm
    镀层----
    原始制造商RAF Electronic HardwareON SemiconductorMicro Commercial Components-
    系列--Original-
    板间高度3.18mm---
    长度3.18mm---
    直径-内部3.56mm---
    DC电流增益(hFE)-80~25010080@10mA,5V
    安装类型-SMTSMTSMT
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    包装-Tape/reelTape/reel-
    配置-单路--
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV500mV200mV
    跃迁频率--100MHz100MHz
    最小包装-10000pcs3000pcs-
    原产国家-AmericaAmericaChina Taiwan
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)-
    印字代码-G1--
    额定功率-225mW300mW250mW
    集电极-基极电压(VCBO)-180V--
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    是否无铅-YesYesYes
    极性-NPNNPN-
    品牌-ONMCCPANJIT
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    制造商标准提前期-12 周8 周-
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
    功率耗散-225mW300mW250mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    特征频率(fT)--100MHz100MHz
    元件生命周期--ActiveActive
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