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TP0610K-T1-E3 与
LBSS84LT1G 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥0.99177 查看详情 | 制造商：LRC 最优价格：￥0.05702 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | - | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | - | ||
| 连续漏极电流 | 185A | 130mA | ||
| 阈值电压 | 3V@250µA | 2V | ||
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 50V | ||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 漏极电流 | 185mA | 130mA | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | ||
| 品牌 | Vishay | LRC | ||
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | ||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | ||
| 脚间距 | 1.9mm | 1.91mm | ||
| 制造商标准提前期 | 15 周 | - | ||
| 额定功率 | 350mW | 225mW | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 击穿电压 | 60V | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,500mA | 10Ω@5V,100mA | ||
| 反向传输电容Crss | 5pF | - | ||
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | ||
| 输入电容 | 23pF | - | ||
| 充电电量 | 1.7nC | - | ||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 2.92 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | ||
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 原产国家 | America | - | ||
| 认证信息 | RoHS, HF(halogen free), | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 应用 | Consumer | - | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 应用等级 | Consumer | - | ||
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6欧姆@500mA，10V | 10Ω | ||
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ||
| 功率耗散 | 350mW | 225mW | ||
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