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LBSS84LT1G 与
TP0610K-T1-E3 的区别
制造商：LRC 最优价格：￥0.05702 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.99177 查看详情 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | ||
| 漏极电流 | 130mA | 185mA | ||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 连续漏极电流 | 130mA | 185A | ||
| 阈值电压 | 2V | 3V@250µA | ||
| 漏源电压(Vdss) | 50V | 60V | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | ||
| 品牌 | LRC | Vishay | ||
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10Ω | 6欧姆@500mA，10V | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ||
| 额定功率 | 225mW | 350mW | ||
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | ||
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.92 x 1.30mm | ||
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | ||
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | ||
| 脚间距 | 1.91mm | 1.9mm | ||
| 功率耗散 | 225mW | 350mW | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,100mA | 6Ω@10V,500mA | ||
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | ||
| 配置 | - | 单路 | ||
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | ||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||
| 制造商标准提前期 | - | 15 周 | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | ||
| 击穿电压 | - | 60V | ||
| 反向传输电容Crss | - | 5pF | ||
| 输入电容 | - | 23pF | ||
| 充电电量 | - | 1.7nC | ||
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | ||
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 零件状态 | - | Active | ||
| 原产国家 | - | America | ||
| 认证信息 | - | RoHS, HF(halogen free), | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 应用 | - | Consumer | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 应用等级 | - | Consumer | ||
| 原始制造商 | - | Vishay Intertechnology, Inc. | ||
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