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    MMBZ20VALT1GMMBZ18VAL-7-F、MMBZ18VALT1G 的区别

    MMBZ20VALT1G

    制造商:ON

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    MMBZ18VAL-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBZ18VALT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    极性单向单向单向
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    结电容---
    高度1.11mm1.10mm1.11mm
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    安装类型SMTSMTSMT
    击穿电压19V17.1V17.1V
    击穿电压 -min20V--
    额定电压-DC17V14.5V14.5V
    峰值脉冲电流(Ipp)1.4A1.6A1.6A
    原产国家AmericaAmerica-
    零件状态ActiveActiveActive
    反向断态电压17V14.5V14.5V
    制造商标准提前期20 周-4 周
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    功率-峰值脉冲40W40W40W
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs
    单向通道222
    通道数222
    应用Automobile grade通用Automobile grade
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅YesYesYes
    电源电压17V-14.5V
    钳位电压28V25V25V
    品牌OnsemiDiodesOnsemi
    击穿电压Max21V18.9V-
    存储温度-55℃~+150℃-65~+150℃-
    电源线路保护
    元件生命周期ActiveActive-
    类型齐纳齐纳齐纳
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Diodes Incorporated-
    系列Automotive,AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101
    反向漏电流 IR-50nA-
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