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AS4C128M16D3LC-12BINTR 与
VB5222、AO6604、AO6601 的区别
制造商：Alliance Memory 最优价格：￥0.00000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.58464 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.60710 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | 带卷（TR） |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 800MHz | - | - | - |
| 存取时间 | 20ns | - | - | - |
| 存储容量 | 2Gb | - | - | - |
| 写周期时间(Tw) | 15ns | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 1.45V | - | - | - |
| 封装/外壳 | VFBGA96 | TSOP-6 | TSOP-6 | SC74,SOT457 |
| 技术 | SDRAM-DDR3L | - | - | - |
| 存储器格式 | DRAM | - | - | - |
| 原始制造商 | Alliance Memory, Inc. | VBsemi Electronics Co. Ltd | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | - |
| 品牌 | Alliance Memory | VBsemi | AOS | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | 3.6nC | 3.8nC | - |
| 阈值电压 | - | - | 1V@250µA | 1.5V@250µA |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 30V |
| 晶体管类型 | - | N沟道和P沟道互补型 | - | N沟道和P沟道互补型 |
| Vgs(Max) | - | ±20V | - | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 连续漏极电流 | - | 5.5A,3.4A | 3.4A,2.5A | 3.4A,2.3A |
| 引脚数 | - | 6Pin | 6Pin | - |
| 高度 | - | 1.10mm | 1.25mm | - |
| 长x宽/尺寸 | - | 3.05 x 1.65mm | 2.90 x 1.60mm | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| 输入电容 | - | - | 260pF,560pF | 285pF@15V |
| 充电电量 | - | - | - | - |
| 功率耗散 | - | 1.15W | 1.1W | 1.15W |
| 击穿电压 | - | 20V | 20V | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±8V | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 极性 | - | N-沟道,P-沟道 | N-沟道,P-沟道 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 30mΩ,79mΩ | - | 60毫欧@3.4A，10V |
| 原产国家 | - | China Taiwan | America | - |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | - |
| FET功能 | - | - | 逻辑电平门 | 逻辑电平门 |
| 反向传输电容Crss | - | - | 27pF，70pF | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | 1（无限） | 1（无限） |
| 系列 | - | - | - | - |
| 类型 | - | - | 1个N沟道+1个P沟道 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | - | - | 16 周 |
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