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    AS4C128M16D3LC-12BINTRFDC6327C、VB5222、AO6604 的区别

    AS4C128M16D3LC-12BINTR

    制造商:Alliance Memory

    最优价格:¥0.00000

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    FDC6327C

    制造商:ON

    最优价格:¥1.12200

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    VB5222

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    AO6604

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.58464

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    ECCN编码
    工作电压(范围)1.45V---
    封装/外壳VFBGA96SOT23-6TSOP-6TSOP-6
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    接口类型并联---
    最大时钟频率800MHz---
    存取时间20ns---
    存储容量2Gb---
    写周期时间(Tw)15ns---
    工作温度-40℃~+95℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    存储器类型易失---
    技术SDRAM-DDR3L---
    存储器格式DRAM---
    原始制造商Alliance Memory, Inc.-VBsemi Electronics Co. LtdAlpha & Omega Semiconductor, Ltd
    品牌Alliance Memory-VBsemiAOS
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    连续漏极电流-2.7A,1.9A5.5A,3.4A3.4A,2.5A
    晶体管类型-N沟道和P沟道互补型N沟道和P沟道互补型-
    阈值电压-1.5V@250µA-1V@250µA
    FET功能-逻辑电平门-逻辑电平门
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    系列-PowerTrench®--
    制造商标准提前期-9 周--
    极性-1个N沟道+1个P沟道N-沟道,P-沟道N-沟道,P-沟道
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.60mm3.05 x 1.65mm2.90 x 1.60mm
    功率耗散-700mW1.15W1.1W
    高度-1.20mm1.10mm1.25mm
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-80毫欧@2.7A,4.5V30mΩ,79mΩ-
    引脚数-6Pin6Pin6Pin
    脚间距-0.95mm--
    输入电容-325pF@10V-260pF,560pF
    是否无铅-YesYesYes
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    栅极电荷(Qg)--3.6nC3.8nC
    Vgs(Max)--±20V-
    配置--单路单路
    元件生命周期--ActiveActive
    最小包装--3000pcs3000pcs
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    充电电量----
    击穿电压--20V20V
    栅极源极击穿电压--±20V±8V
    原产国家--China TaiwanAmerica
    类型---1个N沟道+1个P沟道
    反向传输电容Crss---27pF,70pF
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