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    TJA1043T/1JZXMN6A07ZTA、RHP020N06T100 的区别

    TJA1043T/1J

    制造商:NXP

    最优价格:¥0.00000

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    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

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    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

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    ECCN编码
    电源电压4.5V~5.5V--
    电源电流48mA--
    数据速率5Mbps--
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    类型收发器1个N沟道1个N沟道
    包装卷装Tape/reelTape/reel
    协议CANbus--
    安装类型SMTSMTSMT
    驱动器/接收器数1/1--
    封装/外壳SOIC14_150MILSOT89-3SOT89-3
    品牌NXPDIODESRohm
    通道数---
    零件状态ActiveActiveActive
    引脚数14Pin3Pin-
    系列Automotive, AEC-Q100--
    接收器滞后120mV--
    工作温度-40℃~+150℃-+150℃
    是否无铅YesYesYes
    双工Half--
    原始制造商NXP Semiconductors Inc.Diodes IncorporatedRohm Co.,Ltd.
    制造商标准提前期6 周10 周10 周
    最小包装2500pcs1000pcs1000pcs
    元件生命周期ActiveActive-
    高度1.75mm1.60mm1.50mm
    原产国家HollandAmericaJapan
    长x宽/尺寸8.65 x 3.90mm4.60 x 2.60mm4.50 x 2.50mm
    晶体管类型-N沟道N沟道
    FET功能---
    配置-单路单路
    Vgs(Max)-±20V±20V
    连续漏极电流-2.5A2A
    漏源电压(Vdss)-60V60V
    阈值电压-3V@250µA2.5V
    输入电容-166pF140pF
    击穿电压-60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-250mΩ@10V,1.8A200mΩ@10V,2A
    额定功率-1.5W500mW
    极性-N-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4V,10V
    功率耗散-1.5W500mW
    充电电量--14nC
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