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ECCN编码 | ||||
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
功率 | 400mW | - | - | - |
特性 | - | - | - | - |
温度系数 | ±50ppm/℃ | - | - | - |
技术/工艺 | 薄膜 | - | - | - |
工作温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
封装/外壳 | 0204 | SOT-23 | SC59 | SOT-23 |
精度 | ±5% | - | - | - |
长x宽/尺寸 | Φ1.40 x 3.60mm | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | 1.40mm | 1.00mm | 1.40mm | 1.00mm |
引脚数 | 2Pin | 3Pin | - | 3Pin |
电阻类型 | 薄膜电阻 | - | - | - |
额定电压 | 200V | - | - | - |
阻值 | 220mΩ | - | - | - |
栅极电荷(Qg) | - | 5.2nC | - | - |
漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
FET功能 | - | - | - | - |
阈值电压 | - | 2.1V | 3V@1mA | 3V@250µA |
连续漏极电流 | - | 3.8A | 700mA | 1.13A |
晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
漏极电流 | - | 3.8A | - | 1.13A |
最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
元件生命周期 | - | Active | - | Active |
充电电量 | - | 5.2nC | - | 6nC |
原始制造商 | - | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. |
品牌 | - | DIODES | DIODES | ON |
原产国家 | - | America | - | America |
制造商标准提前期 | - | 8 周 | 8 周 | 20 周 |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 65mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A |
系列 | - | - | - | - |
类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | - | 65毫欧@3.8A,10V | - | 200毫欧@1.95A,10V |
功率耗散 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
零件状态 | - | Active | Active | Active |
技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
输入电容 | - | 563pF | 160pF@10V | 200pF@15V |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±20V |
额定功率 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
反向传输电容Crss | - | 41pF | - | 50pF |
配置 | - | - | 单路 | 单路 |
击穿电压 | - | - | - | 30V |
存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
印字代码 | - | - | - | TR2 M= = |
认证信息 | - | - | - | RoHS |
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