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    SST25VF080B-50-4C-S2AF-TGRM155R60J106ME44D、0402X106M6R3NT、ZRB15XR60J106ME12D 的区别

    SST25VF080B-50-4C-S2AF-T

    制造商:Microchip

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    GRM155R60J106ME44D

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.01664

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    0402X106M6R3NT

    制造商:FH

    最优价格:¥0.02409

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    ZRB15XR60J106ME12D

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.24523

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    ECCN编码
    封装/外壳SOIC8040204020402
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    存储容量8Mb---
    最大时钟频率50MHz---
    工作电压(范围)3.6V---
    湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)1(无限)-1(无限)
    写周期时间(Tw)10µs---
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    接口类型SPI---
    存储器类型非易失---
    原始制造商Microchip Technology Inc.Murata Manufacturing Co., Ltd.Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd.Murata Manufacturing Co., Ltd.
    品牌MicrochipMuRataFHMuRata
    存储器格式闪存---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    高度1.81mm0.50mm0.50mm0.65mm
    技术FLASH---
    长x宽/尺寸5.28 x 5.28mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm
    引脚数8Pin2Pin2Pin2Pin
    制造商标准提前期6 周---
    系列SST25GRM-ZRB
    工作温度0℃~+70℃-55℃~+85℃-55℃~+85℃-55℃~+85℃
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    应用领域-General PurposeConsumer-
    等级-通用级-汽车级
    特性--Original-
    容值-10µF10µF10µF
    精度-±20%±20%±20%
    额定电压-6.3V6.3V6.3V
    脚间距-0.75mm--
    电介质-X5RX5RX5R
    温度系数Tf-X5RX5R±15%
    成分--CeramicCeramic
    最小包装--10000pcs8000pcs
    卷盘尺寸--Φ180mmΦ180mm
    元件生命周期--ActiveActive
    原产国家--ChinaJapan
    认证信息--RoHSRoHS
    存储温度----55℃~+85℃
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