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IS43DR16640C-25DBLI 与
GCJ216R71H222KA01D、0805B222K500NT、GCM216R71H222KA37D 的区别
制造商：ISSI 最优价格：￥0.00000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Murata 最优价格：￥0.11639 查看详情 查看数据资料 | 制造商：FH 最优价格：￥0.01380 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Murata 最优价格：￥0.04967 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 写周期时间-字，页 | 15ns | - | - | - |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 1.9V | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 400MHz | - | - | - |
| 存取时间 | 400ps | - | - | - |
| 存储容量 | 1Gb | - | - | - |
| 封装/外壳 | TFBGA84 | 0805 | 0805 | 0805 |
| 包装 | Tray | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 存储器格式 | DRAM | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 零件状态 | Active | Active | Active | 不适用于新设计 |
| 品牌 | ISSI | MuRata | FH | MuRata |
| 技术 | SDRAM-DDR2 | - | - | - |
| 原始制造商 | Integrated Silicon Solution, Inc. | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd. | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 高度 | 1.20mm | 0.60mm | 1.20mm | 0.70mm |
| 额定电压 | - | 50V | 50V | 50V |
| 容值 | - | 2.2nF | 2.2nF | 2.2nF |
| 成分 | - | Ceramic | Ceramic | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | - | - |
| 应用领域 | - | ETC, Control Circuits Of Headlights | Consumer | Automotive |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.00 x 1.25mm | 2.00 x 1.25mm | 2.00 x 1.25mm |
| 特性 | - | - | Original | - |
| 精度 | - | ±10% | ±10% | ±10% |
| 等级 | - | AEC-Q200 | - | AEC-Q200 |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | - |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 系列 | - | GCJ | - | GCM |
| 存储温度 | - | -55℃~+125℃ | - | - |
| 温度系数Tf | - | ±15% | - | - |
| 卷盘尺寸 | - | Φ180mm | Φ180mm | - |
| 引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 原产国家 | - | Japan | China | - |
| 封装技术 | - | Multilayer | - | - |
| 电介质 | - | X7R | X7R | X7R |
| 最小包装 | - | 4000pcs | 4000pcs | - |
| 脚间距 | - | - | 1.50mm | - |
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