尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    IS61WV12816DBLL-10TLI1206B104K500NT、CL31B104KBCNNNC、C3216X7R1H104KT000N 的区别

    IS61WV12816DBLL-10TLI

    制造商:ISSI

    最优价格:¥0.00000

    查看详情 查看数据资料

    1206B104K500NT

    制造商:FH

    最优价格:¥0.03596

    查看详情 查看数据资料

    CL31B104KBCNNNC

    制造商:Samsung

    最优价格:¥0.04341

    查看详情 查看数据资料

    C3216X7R1H104KT000N

    制造商:TDK

    最优价格:¥0.43438

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)-1(无限)-
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作电压(范围)3V~3.6V---
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    存取时间10ns---
    最大时钟频率----
    存储容量2Mb---
    接口类型并联---
    封装/外壳TSOP-44_18.415X10.16MM120612061206
    写周期时间-字,页10ns---
    技术SRAM 异步---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes-Yes
    原始制造商Integrated Silicon Solution, Inc.Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd.-TDK Corporation
    制造商标准提前期6 周---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃
    系列--CLC
    长x宽/尺寸18.41 x 10.16mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm
    高度1.20mm1.60mm1.60mm1.60mm
    引脚数44Pin2Pin2Pin2Pin
    脚间距0.8mm-2.70mm-
    存储器类型易失---
    品牌ISSIFHSamsungTDK
    零件状态ActiveActive-Active
    存储器格式SRAM---
    特性-OriginalOriginal-
    等级----
    成分-Ceramic-Ceramic
    额定电压-50V50V50V
    应用领域-Consumer--
    容值-100nF100nF100nF
    精度-±10%±10%±10%
    最小包装-4000pcs4000pcs2000pcs
    卷盘尺寸-Φ180mm-Φ255mm
    元件生命周期-Active-Active
    原产国家-China-Japan
    认证信息-RoHS-RoHS
    电介质-X7RX7RX7R
    温度系数Tf---±15%
    加入购物车询价加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照