尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    BC857CBC857CLT3G、BC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别

    BC857C

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10329

    查看详情 查看数据资料

    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

    查看详情

    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.07800

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    集射极击穿电压Vce(Max)45V-45V45V
    Vce饱和压降650mV-650mV-
    配置单路-单路-
    包装Tape/reel-Tape/reel-
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT23-3SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    DC电流增益(hFE)520-420~800420~800
    跃迁频率100MHz-100MHz-
    晶体管类型PNP-PNPPNP
    原始制造商Diotec Semiconductor AG-ON Semiconductor-
    发射极与基极之间电压 VEBO5V-5V-
    元件生命周期Active--Active
    集电极-基极电压(VCBO)50V-50V-
    零件状态Active-ActiveActive
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V-45V45V
    最小包装3000pcs-3000pcs-
    极性PNP-PNP-
    引脚数3Pin-3Pin3Pin
    品牌Diotec-ONPANJIT
    高度1.10mm-1.00mm1.10mm
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    功率耗散250mW-300mW330mW
    额定功率250mW-300mW330mW
    特征频率(fT)100MHz-100MHz200MHz
    集电极电流 Ic100mA-100mA100mA
    印字代码--3G-
    是否无铅--YesYes
    制造商标准提前期--8 周-
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA(ICBO)-
    系列---BC857
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V-
    原产国家--AmericaChina Taiwan
    加入购物车询价加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照