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    BC857CBC857C-7-F、BC857CLT3G、BC857CLT1G 的区别

    BC857C

    制造商:DIOTEC

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    BC857C-7-F

    制造商:DIODES

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    ECCN编码
    配置单路--单路
    包装Tape/reel--Tape/reel
    封装/外壳SOT-23SOT23-3SOT23-3SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    DC电流增益(hFE)520--420~800
    跃迁频率100MHz--100MHz
    晶体管类型PNP--PNP
    Vce饱和压降650mV--650mV
    集射极击穿电压Vce(Max)45V--45V
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V--45V
    零件状态Active--Active
    最小包装3000pcs--3000pcs
    极性PNP--PNP
    品牌Diotec--ON
    引脚数3Pin--3Pin
    高度1.10mm--1.00mm
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    存储温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    功率耗散250mW--300mW
    额定功率250mW--300mW
    特征频率(fT)100MHz--100MHz
    集电极电流 Ic100mA--100mA
    发射极与基极之间电压 VEBO5V--5V
    原始制造商Diotec Semiconductor AG--ON Semiconductor
    集电极-基极电压(VCBO)50V--50V
    元件生命周期Active---
    制造商标准提前期---8 周
    集电极截止电流 (Icbo)---15nA(ICBO)
    系列----
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---45V
    原产国家---America
    印字代码---3G
    是否无铅---Yes
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