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    LVK25R005DERZVN2120GTA、STN1N20 的区别

    LVK25R005DER

    制造商:Ohmite

    最优价格:

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    ZVN2120GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.59350

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    STN1N20

    制造商:ST

    最优价格:¥8.20380

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    ECCN编码
    精度±0.5%--
    功率2W--
    温度系数±100ppm/℃--
    封装/外壳2512SOT-223TO261-4
    电阻类型厚膜电阻--
    阻值5mΩ--
    漏源电压(Vdss)-200V200V
    安装类型-SMTSMT
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    漏极电流-320mA-
    FET功能---
    Vgs(Max)-±20V-
    栅极电荷(Qg)---
    配置-单路-
    阈值电压-3V@1mA5V@250µA
    连续漏极电流-320mA1A
    晶体管类型-N沟道N沟道
    包装-Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    系列--MESHOVERLAY™
    反向传输电容Crss-7pF-
    制造商标准提前期-10 周-
    高度-1.60mm-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    引脚数-3Pin-
    是否无铅-YesYes
    元件生命周期-Active-
    额定功率-2W-
    长x宽/尺寸-6.50 x 3.50mm-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-10Ω@10V,250mA1.5欧姆@500mA,10V
    类型-1个N沟道-
    品牌-DIODES-
    输入电容-85pF206pF@25V
    极性-N-沟道-
    功率耗散-2W2.9W
    存储温度--55℃~+150℃-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V-
    最小包装-1000pcs-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原始制造商-DIODES Electronics Co. Ltd-
    原产国家-China-
    零件状态-Active过期
    击穿电压-200V-
    栅极源极击穿电压-±20V-
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