LVK25R005DER 与
ZVN2120GTA、STN1N20 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 精度 | ±0.5% | - | - | |
| 功率 | 2W | - | - | |
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | - | |
| 封装/外壳 | 2512 | SOT-223 | TO261-4 | |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | |
| 阻值 | 5mΩ | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | |
| 漏极电流 | - | 320mA | - | |
| FET功能 | - | - | - | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | |
| 配置 | - | 单路 | - | |
| 阈值电压 | - | 3V@1mA | 5V@250µA | |
| 连续漏极电流 | - | 320mA | 1A | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| 包装 | - | Tape/reel | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | |
| 系列 | - | - | MESHOVERLAY™ | |
| 反向传输电容Crss | - | 7pF | - | |
| 制造商标准提前期 | - | 10 周 | - | |
| 高度 | - | 1.60mm | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | |
| 引脚数 | - | 3Pin | - | |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
| 额定功率 | - | 2W | - | |
| 长x宽/尺寸 | - | 6.50 x 3.50mm | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 10Ω@10V,250mA | 1.5欧姆@500mA,10V | |
| 类型 | - | 1个N沟道 | - | |
| 品牌 | - | DIODES | - | |
| 输入电容 | - | 85pF | 206pF@25V | |
| 极性 | - | N-沟道 | - | |
| 功率耗散 | - | 2W | 2.9W | |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | - | |
| 最小包装 | - | 1000pcs | - | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 原始制造商 | - | DIODES Electronics Co. Ltd | - | |
| 原产国家 | - | China | - | |
| 零件状态 | - | Active | 过期 | |
| 击穿电压 | - | 200V | - | |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | - | |
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