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LVK25R005DER 与
STN1N20、ZVN2120GTA 的区别
制造商：Ohmite 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥8.20380 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.59350 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | - | |
| 封装/外壳 | 2512 | TO261-4 | SOT-223 | |
| 精度 | ±0.5% | - | - | |
| 功率 | 2W | - | - | |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | |
| 阻值 | 5mΩ | - | - | |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | |
| 连续漏极电流 | - | 1A | 320mA | |
| 阈值电压 | - | 5V@250µA | 3V@1mA | |
| 输入电容 | - | 206pF@25V | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 1.5欧姆@500mA，10V | 10Ω@10V,250mA | |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | |
| 系列 | - | MESHOVERLAY™ | - | |
| 功率耗散 | - | 2.9W | 2W | |
| 零件状态 | - | 过期 | Active | |
| 漏极电流 | - | - | 320mA | |
| Vgs(Max) | - | - | ±20V | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | |
| 配置 | - | - | 单路 | |
| 元件生命周期 | - | - | Active | |
| 额定功率 | - | - | 2W | |
| 长x宽/尺寸 | - | - | 6.50 x 3.50mm | |
| 品牌 | - | - | DIODES | |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | |
| 极性 | - | - | N-沟道 | |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 10V | |
| 最小包装 | - | - | 1000pcs | |
| 原始制造商 | - | - | DIODES Electronics Co. Ltd | |
| 原产国家 | - | - | China | |
| 击穿电压 | - | - | 200V | |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | |
| 反向传输电容Crss | - | - | 7pF | |
| 制造商标准提前期 | - | - | 10 周 | |
| 高度 | - | - | 1.60mm | |
| 引脚数 | - | - | 3Pin | |
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