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MMBT5551-7-F 与
MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥0.08800 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.07952 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.12430 查看详情 | ||
| ECCN编码 | ||||
| Vce饱和压降 | 200mV | 200mV | 200mV | |
| 跃迁频率 | 100MHz | - | - | |
| DC电流增益(hFE) | 50 | 250 | 80~250 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 160V | 160V | 160V | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 系列 | Original | - | - | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | - | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 10000pcs | |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 500nA（ICBO） | 100nA | 100nA | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 高度 | 1.10mm | 1.11mm | 1.11mm | |
| 制造商标准提前期 | 12 周 | 12 周 | 12 周 | |
| 功率耗散 | 300mW | 225mW | 225mW | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | |
| 极性 | Bidirectional | NPN | NPN | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 额定功率 | 300mW | 225mW | 225mW | |
| 集电极-发射极电压 VCEO | 160V | 160V | 160V | |
| 集电极电流 Ic | 600mA | 600mA | 600mA | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 品牌 | DIODES | ON | ON | |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | |
| 原产国家 | - | America | America | |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor | |
| 脚间距 | - | 1.9mm | - | |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 6V | 6V | |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 180V | 180V | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
| 印字代码 | - | G1 | G1 | |
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