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    MMBT5551LT3GMMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.12430

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07280

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.10081

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V
    Vce饱和压降200mV500mV200mV
    跃迁频率-100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)80~25010080@10mA,5V
    安装类型SMTSMTSMT
    晶体管类型NPNNPNNPN
    配置单路--
    包装Tape/reelTape/reel-
    品牌ONMCCPANJIT
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    集电极-发射极电压 VCEO160V160V160V
    发射极与基极之间电压 VEBO6V--
    制造商标准提前期12 周8 周-
    功率耗散225mW300mW250mW
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    零件状态ActiveActiveActive
    高度1.11mm1.00mm1.10mm
    系列-Original-
    最小包装10000pcs3000pcs-
    原始制造商ON SemiconductorMicro Commercial Components-
    集电极截止电流 (Icbo)100nA50nA(ICBO)-
    原产国家AmericaAmericaChina Taiwan
    额定功率225mW300mW250mW
    印字代码G1--
    集电极-基极电压(VCBO)180V--
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA
    极性NPNNPN-
    是否无铅YesYesYes
    元件生命周期-ActiveActive
    特征频率(fT)-100MHz100MHz
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