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HI1812V101R-10 与
AO3419、AO3413、VB2290 的区别
制造商：Laird 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.43376 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.32276 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.21112 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 滤波器类型 | 电源，信号线路 | - | - | - |
| 线路数 | 1 | - | - | - |
| 不同频率时的阻抗 | 100Ω@100MHz | - | - | - |
| 额定电流 | 8A | - | - | - |
| 直流电阻(DCR) | 10mΩ | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 封装/外壳 | 1812 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 长x宽/尺寸 | 4.49 x 3.20mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 3.04 x 1.40mm |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 脚间距 | 4.03mm | 1.9mm | - | - |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 16 周 | 16 周 | - |
| 等级 | - | - | - | - |
| 高度 | 2.31mm | 1.25mm | 1.25mm | 1.12mm |
| Vgs(Max) | - | ±12V | ±8V | ±12V |
| 连续漏极电流 | - | 2.8A | 2.4A | 4.5A |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 阈值电压 | - | 1.4V@250μA | 1V@250µA | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 反向传输电容Crss | - | 37pF@10V | 70pF | 155pF |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 85mΩ@4.5V,3A | 97mΩ@4.5V,3A | 43mΩ |
| 额定功率 | - | 1.4W | 1.4W | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | - |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.8V，10V | 1.8V，4.5V | - |
| 品牌 | - | AOS | AOS | VBsemi |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 功率耗散 | - | 1.4W | 1.4W | 1.25W |
| 输入电容 | - | 400pF@10V | 540pF@10V | 835pF |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 漏极电流 | - | - | 3A | - |
| 充电电量 | - | - | 11nC | 10nC |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 原始制造商 | - | - | Alpha and Omega Semiconductor | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 原产国家 | - | - | America | China Taiwan |
| 元件生命周期 | - | - | Active | Active |
| 击穿电压 | - | - | 20V | 20V |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±8V | ±12V |
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