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MOX94021005FVE 与
LM258DR、LM258DR2G 的区别
制造商：Ohmite 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.38081 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.32256 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 功率 | 10W | - | - | |
| 技术/工艺 | 薄膜 | - | - | |
| 特性 | - | - | - | |
| 温度系数 | ±50ppm/℃ | - | - | |
| 工作温度 | -55℃~+225℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | |
| 封装/外壳 | 插件,D8xL77mm | SOIC-8 | SOIC-8 | |
| 长x宽/尺寸 | Φ8.00 x 77.00mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 包装 | 散装 | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 精度 | ±1% | - | - | |
| 引脚数 | 2Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 高度 | 77.00mm | 1.75mm | 1.75mm | |
| 电阻类型 | 金属氧化膜电阻 | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | |
| 阻值 | 10MΩ | - | - | |
| 输入失调电压(Vos) | - | 3mV | 5mV | |
| 输入偏置电流 | - | 20nA | 45nA | |
| 工作电流 | - | 1mA | 1.5mA | |
| 每个通道的输出电流 | - | 30mA | 40mA | |
| 电源电压，单/双（±） | - | 3V~32V,±1.5V~16V | 3V~32V,±1.5V~±16V | |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | |
| 输出电流 | - | 40mA | 40mA | |
| 压摆率 | - | 300mV/μs | - | |
| 增益带宽积（GBP） | - | 700KHz | 1MHz | |
| 通道数 | - | 2 | 2 | |
| 原产国家 | - | America | America | |
| 电源电压 | - | 3V~30V | 32V | |
| 品牌 | - | TI | ON | |
| 共模抑制比 - CMRR | - | 80dB | 85dB | |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | |
| 最小包装 | - | 2500pcs | 2500pcs | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | 7uV/℃ | - | |
| 存储温度 | - | -65~+150℃ | - | |
| 放大器类型 | - | 通用 | 通用 | |
| 脚间距 | - | 1.27mm | - | |
| 原始制造商 | - | Texas Instruments Incorporated | ON Semiconductor Inc. | |
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