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    SI2319CDS-T1-GE3FRC0603J752 TS、RC0603JR-077K5L、0603WAJ0752T5E 的区别

    SI2319CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥2.21876

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    FRC0603J752 TS

    制造商:FOJAN

    最优价格:¥0.00303

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    RC0603JR-077K5L

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.01111

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    0603WAJ0752T5E

    制造商:Uniohm

    最优价格:¥0.00538

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    ECCN编码
    连续漏极电流4.4A---
    阈值电压2.5V@250µA---
    漏源电压(Vdss)40V---
    Vgs(Max)±20V---
    FET功能----
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    漏极电流4.4A---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23060306030603
    晶体管类型P沟道---
    配置单路---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    制造商标准提前期19 周---
    反向传输电容Crss61pF---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    充电电量21nC---
    功率耗散1.25W---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+155℃-55℃~+155℃
    最小包装3000pcs5000pcs5000pcs5000pcs
    输入电容595pF@20V---
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.FOJAN ResistorYageo CorporationUniroyal Electronics Global Co., Ltd.
    额定功率1.25W,2.5W---
    原产国家AmericaChinaChina TaiwanChina Taiwan
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)77mΩ@10V,3.1A---
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm1.60 x 0.80mm1.60 x 0.80mm1.60 x 0.80mm
    类型1个P沟道---
    高度1.00mm0.45mm0.45mm0.45mm
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    脚间距1.9mm-1.35mm-
    是否无铅Yes-YesYes
    品牌VishayFOJANYageoUniohm
    极性P-沟道---
    零件状态Active---
    击穿电压40V---
    系列TrenchFET®FRCRC-
    栅极源极击穿电压±20V---
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    精度-±5%±5%±5%
    功率-100mW100mW100mW
    技术/工艺-厚膜厚膜厚膜
    电阻类型-厚膜电阻厚膜电阻厚膜电阻
    卷盘尺寸-Φ180mmΦ180mmΦ180mm
    等级-通用消费级消费级
    应用-ConsumerConsumerConsumer
    额定电压-75V75V75V
    阻值-7.5KΩ7.5KΩ7.5KΩ
    特性----
    认证信息--HF(halogen free), RoHSSGS
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