尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SI2319CDS-T1-GE3AC0603JR-077K5L、RS-03K752JT、FRC0603J752 TS 的区别

    SI2319CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥2.21876

    查看详情

    AC0603JR-077K5L

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00460

    查看详情 查看数据资料

    RS-03K752JT

    制造商:FH

    最优价格:¥0.00255

    查看详情 查看数据资料

    FRC0603J752 TS

    制造商:FOJAN

    最优价格:¥0.00303

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    连续漏极电流4.4A---
    阈值电压2.5V@250µA---
    漏源电压(Vdss)40V---
    Vgs(Max)±20V---
    FET功能----
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    漏极电流4.4A---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23060306030603
    晶体管类型P沟道---
    配置单路---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    充电电量21nC---
    功率耗散1.25W---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃--
    最小包装3000pcs5000pcs5000pcs5000pcs
    输入电容595pF@20V---
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Yageo CorporationGuangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd.FOJAN Resistor
    额定功率1.25W,2.5W---
    原产国家AmericaChina TaiwanChinaChina
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)77mΩ@10V,3.1A---
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm1.60 x 0.80mm1.60 x 0.80mm1.60 x 0.80mm
    类型1个P沟道---
    高度1.00mm0.45mm0.40mm0.45mm
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    是否无铅YesYesYes-
    品牌VishayYageoFHFOJAN
    脚间距1.9mm---
    极性P-沟道---
    零件状态Active---
    击穿电压40V---
    系列TrenchFET®ACRSFRC
    栅极源极击穿电压±20V---
    制造商标准提前期19 周---
    反向传输电容Crss61pF---
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    特性----
    技术/工艺-厚膜厚膜厚膜
    功率-100mW100mW100mW
    精度-±5%±5%±5%
    额定电压-75V50V75V
    认证信息-RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200--
    应用-Automotive Electronics, Consumer, Industrial-Consumer
    卷盘尺寸-Φ180mm-Φ180mm
    电阻类型-厚膜电阻厚膜电阻厚膜电阻
    等级-AEC-Q200通用通用
    阻值-7.5KΩ7.5KΩ7.5KΩ
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照