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1N5819HW-7-F 与
TL431CDR、TL431CDRG4、TL431ID 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥0.49477 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.66105 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.67870 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥2.91070 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 二极管类型 | 肖特基 | - | - | - |
| 平均整流电流 | 1A | - | - | - |
| 反向峰值电压（最大值） | 40V | - | - | - |
| 工作温度-结 | -65°C~125°C | - | - | - |
| 二极管配置 | 单路 | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC8_150MIL |
| 正向压降VF | 450mV | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | - | - | - |
| 速度 | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 反向恢复时间(trr) | - | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 1mA | - | - | - |
| 反向耐压VR | 40V | - | - | - |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ | 0℃~+70℃ | 0℃~+70℃ | - |
| 功率耗散（最大值） | 450mW | - | - | - |
| 总电容C | 50pF | - | - | - |
| 应用等级 | AEC-Q100 | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS, AEC-Q101 | - | - | - |
| 反向击穿电压 | 40V | - | - | - |
| 原产国家 | America | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.70 x 1.55mm | 4.90 x 3.90mm | 5.00 x 3.98mm | 4.91 x 3.90mm |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | Texas Instruments Incorporated | Texas Instruments Incorporated | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 25A | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 正向压降VF Max | 450mV | - | - | - |
| 脚间距 | 3.37mm | 1.27mm | 1.27mm | - |
| 零件状态 | Active | - | - | - |
| 是否无铅 | No | Yes | Yes | - |
| 最小包装 | 3000pcs | 2500pcs | - | - |
| 品牌 | DIODES | TI | TI | - |
| 应用 | 通用 | - | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | 8Pin | 8Pin | - |
| 高度 | 1.22mm | 1.75mm | 1.75mm | - |
| 存储温度 | -65~+125℃ | - | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 参考源类型 | - | Shunt | Shunt | - |
| 输出电压 | - | 2.495V | 2.495V | - |
| 阴极电流 | - | 1mA | 1mA | - |
| 工作电流 | - | - | - | - |
| 精度 | - | ±2.2% | ±2.2% | - |
| 温度系数（温漂） | - | - | - | - |
| 初始精度（误差） | - | ±2.2% | ±2.2% | - |
| 输出电流 | - | 100mA | 100mA | - |
| 输出类型 | - | 可调 | 可调 | - |
| 容差 | - | ±2.2% | ±2.2% | - |
| 输入电压 | - | - | - | - |
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