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AO6404 与
AO6408、VB7322 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SC74,SOT457 | SC74,SOT457 | TSOP-6 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | |
| Vgs(Max) | ±12V | - | ±20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 20V | 30V | |
| 连续漏极电流 | 8.6A | 8.8A | 5.5A | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 栅极电荷(Qg) | 17.9nC | - | 13nC | |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | |
| 阈值电压 | 1V@250µA | 1V@250µA | 1.5V@250µA | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 系列 | - | - | - | |
| 功率耗散 | 2W | 2W | 1.3W | |
| 零件状态 | Active | 过期 | Active | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 1.8V，10V | - | - | |
| 极性 | N-沟道 | - | N-沟道 | |
| 额定功率 | 2W | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,8.5A | 18毫欧@8.8A，10V | 27mΩ | |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | |
| 输入电容 | 1.81nF@10V | 2.2nF@10V | 424pF | |
| 配置 | - | - | 单路 | |
| 漏极电流 | - | - | 6A | |
| 击穿电压 | - | - | 30V | |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | |
| 原产国家 | - | - | China Taiwan | |
| 品牌 | - | - | VBsemi | |
| 原始制造商 | - | - | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
| 元件生命周期 | - | - | Active | |
| 最小包装 | - | - | 3000pcs | |
| 引脚数 | - | - | 6Pin | |
| 高度 | - | - | 1.10mm | |
| 长x宽/尺寸 | - | - | 3.05 x 1.65mm | |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | |
| 充电电量 | - | - | 4.2nC | |
| 反向传输电容Crss | - | - | 42pF | |
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