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A1391SEHLT-T 与
VB1330、CJ3400A、AO3400A 的区别
制造商：Allegro 最优价格：￥5.68948 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.30495 查看详情 查看数据资料 | 制造商：JSCJ 最优价格：￥0.19271 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.25932 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | DFN6_2X3MM | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 配置 | - | 单路 | - | 单路 |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃(TJ) | +150℃ | -55℃~+150℃ |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±12V | ±12V |
| 阈值电压 | - | 1.1V@250µA | - | 1.5V@250µA |
| 栅极电荷(Qg) | - | 6.7nC | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 5.3A | 5.8A | 5.7A |
| 零件状态 | - | Active | - | Active |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 是否无铅 | - | Yes | - | Yes |
| 高度 | - | 1.12mm | 1.15mm | 1.25mm |
| 长x宽/尺寸 | - | 3.04 x 1.40mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.60mm |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 充电电量 | - | 2.1nC | - | 6nC |
| 功率耗散 | - | 1.1W | 400mW | 1.4W |
| 输入电容 | - | 335pF | 1.155nF | 630pF@15V |
| 反向传输电容Crss | - | 17pF | - | 50pF |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 33mΩ | 32mΩ | 26.5mΩ@10V,5.7A |
| 击穿电压 | - | 30V | - | 30V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±12V | ±12V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 品牌 | - | VBsemi | JSCJ | AOS |
| 原产国家 | - | China Taiwan | - | America |
| 原始制造商 | - | VBsemi Electronics Co. Ltd | - | Alpha and Omega Semiconductor |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 额定功率 | - | - | 400mW | 1.4W |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 漏极电流 | - | - | - | 5.7A |
| 类型 | - | - | - | 1个N沟道 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | - | 2.5V，10V |
| 技术路线 | - | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列 | - | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | - | 1（无限） |
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