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    A1391SEHLT-TCJ3400A、AO3400A、AO3400A 的区别

    A1391SEHLT-T

    制造商:Allegro

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    CJ3400A

    制造商:JSCJ

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    AO3400A

    制造商:AOS

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    AO3400A

    制造商:UMW

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    ECCN编码
    封装/外壳DFN6_2X3MMSOT-23SOT-23SOT-23
    连续漏极电流-5.8A5.7A5.8A
    Vgs(Max)-±12V±12V±12V
    栅极电荷(Qg)---9.7nC
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    晶体管类型-N沟道N沟道-
    工作温度-+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    安装类型-SMTSMTSMT
    输入电容-1.155nF630pF@15V823pF
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸-3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm3.00 x 1.40mm
    高度-1.15mm1.25mm1.15mm
    功率耗散-400mW1.4W1.4W
    充电电量--6nC-
    品牌-JSCJAOSUMW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-32mΩ26.5mΩ@10V,5.7A28mΩ
    栅极源极击穿电压-±12V±12V±12V
    额定功率-400mW1.4W-
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    FET功能----
    配置--单路单路
    阈值电压--1.5V@250µA1.1V
    漏极电流--5.7A-
    类型--1个N沟道-
    元件生命周期--ActiveActive
    击穿电压--30V30V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--2.5V,10V-
    反向传输电容Crss--50pF77pF
    技术路线--MOSFET (Metal Oxide)-
    零件状态--ActiveActive
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    系列----
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    是否无铅--YesYes
    原始制造商--Alpha and Omega SemiconductorShenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
    原产国家--AmericaChina
    认证信息---RoHS
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