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CMPDM7002AG TR PBFREE 与
RCD100N20TL、STD25NF20、SUD19N20-90-E3 的区别
制造商：Central 最优价格：￥1.22835 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.67440 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥5.34600 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 2.5V | 5.25V@1mA | 4V@250µA | 4V@250µA |
| 连续漏极电流 | 280mA | 10A | 18A | 19A |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | +150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/reel | 带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| Vgs(Max) | 40V | - | ±20V | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 200V | 200V | 200V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 5,10V | - | 10V | 6V，10V |
| 输入电容 | 50pF | 1.4nF@25V | 940pF@25V | 1.8nF@25V |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 原始制造商 | Central Semiconductor Corp | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | 40V | - | - | - |
| 品牌 | Central | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω | 182毫欧@5A，10V | 125mΩ@10V,10A | 90mΩ@10V,5A |
| 功率耗散 | 350mW | 850mW,20W | 110W | 3W,136W |
| 引脚数 | 3Pin | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | - | - | - |
| 高度 | 0.90mm | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | - | 17 周 | 26 周 | 19 周 |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 系列 | - | - | STripFET™ | TrenchFET® |
| 极性 | - | - | N-沟道 | N-沟道 |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 额定功率 | - | - | 110W | 3W,136W |
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