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    BAV99-TPAO6604、AO6601、AO6602 的区别

    BAV99-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.06929

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    AO6604

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.58464

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    AO6601

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.60710

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    AO6602

    制造商:AOS

    最优价格:¥1.10000

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23-3TSOP-6SC74,SOT457-
    安装类型SMTSMTSMT-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.60mm--
    栅极电荷(Qg)-3.8nC--
    FET功能-逻辑电平门逻辑电平门-
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    连续漏极电流-3.4A,2.5A3.4A,2.3A-
    晶体管类型--N沟道和P沟道互补型-
    配置-单路--
    漏源电压(Vdss)-20V30V-
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA-
    包装-Tape/reel带卷(TR) -
    反向传输电容Crss-27pF,70pF--
    最小包装-3000pcs--
    功率耗散-1.1W1.15W-
    存储温度--55℃~+150℃--
    原始制造商-Alpha & Omega Semiconductor, Ltd--
    是否无铅-YesYes-
    原产国家-America--
    充电电量----
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    高度-1.25mm--
    引脚数-6Pin--
    系列----
    元件生命周期-Active--
    零件状态-ActiveActive-
    类型-1个N沟道+1个P沟道1个N沟道+1个P沟道-
    品牌-AOS--
    极性-N-沟道,P-沟道1个N沟道+1个P沟道-
    输入电容-260pF,560pF285pF@15V-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)--60毫欧@3.4A,10V-
    击穿电压-20V--
    栅极源极击穿电压-±8V--
    制造商标准提前期--16 周-
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