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74LVC245APW-Q100J 与
RCD100N20TL、STD25NF20、SUD19N20-90-E3 的区别
制造商：Nexperia 最优价格：￥0.00000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.67440 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥5.34600 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 每元件位数 | 8 | - | - | - |
| 输出类型 | 推挽式 | - | - | - |
| 逻辑类型 | 收发器，非反相 | - | - | - |
| 封装/外壳 | TSSOP-20 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 电源电压 | 1.2V~3.6V | - | - | - |
| 输出电流 | 24mA，24mA | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 品牌 | Nexperia | - | - | - |
| 电路数 | 1 | - | - | - |
| 原始制造商 | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 6.50 x 4.40mm | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 高度 | 1.10mm | - | - | - |
| 系列 | 74LVC_LVCH245A_Q100 | - | STripFET™ | TrenchFET® |
| 存储温度 | -40~+125℃ | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 17 周 | 26 周 | 19 周 |
| 原产国家 | America | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 引脚数 | 20Pin | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | +150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 10A | 18A | 19A |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 包装 | - | 带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 阈值电压 | - | 5.25V@1mA | 4V@250µA | 4V@250µA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 输入电容 | - | 1.4nF@25V | 940pF@25V | 1.8nF@25V |
| 功率耗散 | - | 850mW,20W | 110W | 3W,136W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 182毫欧@5A，10V | 125mΩ@10V,10A | 90mΩ@10V,5A |
| Vgs(Max) | - | - | ±20V | ±20V |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 额定功率 | - | - | 110W | 3W,136W |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 10V | 6V，10V |
| 极性 | - | - | N-沟道 | N-沟道 |
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