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SI2301CDS-T1-GE3 与
AO3419、AO3413、VB2290 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥0.79754 查看详情 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.43376 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.32276 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.21112 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 连续漏极电流 | 3.1A | 2.8A | 2.4A | 4.5A |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±8V | ±12V | ±8V | ±12V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 漏极电流 | 3.1A | - | 3A | - |
| 阈值电压 | 1V@250µA | 1.4V@250μA | 1V@250µA | - |
| 输入电容 | 405pF@10V | 400pF@10V | 540pF@10V | 835pF |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 2.5V，4.5V | 1.8V，10V | 1.8V，4.5V | - |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
| 脚间距 | 1.9mm | 1.9mm | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 系列 | TrenchFET® | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 15 周 | 16 周 | 16 周 | - |
| 击穿电压 | 20V | - | 20V | 20V |
| 栅极源极击穿电压 | ±8V | - | ±8V | ±12V |
| 反向传输电容Crss | 55pF | 37pF@10V | 70pF | 155pF |
| 充电电量 | 5.5nC | - | 11nC | 10nC |
| 功率耗散 | 860mW | 1.4W | 1.4W | 1.25W |
| 品牌 | Vishay | AOS | AOS | VBsemi |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 3.04 x 1.40mm |
| 额定功率 | 860mW,1.6W | 1.4W | 1.4W | - |
| 高度 | 1.00mm | 1.25mm | 1.25mm | 1.12mm |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | - |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 112mΩ@4.5V,2.8A | 85mΩ@4.5V,3A | 97mΩ@4.5V,3A | 43mΩ |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | - | Alpha and Omega Semiconductor | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 原产国家 | America | - | America | China Taiwan |
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