尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SI2301CDS-T1-GE3VB2290、AO3415、AO3415A 的区别

    SI2301CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.79754

    查看详情

    VB2290

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.21112

    查看详情 查看数据资料

    AO3415

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.38569

    查看详情

    AO3415A

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.30846

    查看详情
    ECCN编码
    配置单路单路单路单路
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    FET功能----
    Vgs(Max)±8V±12V±8V±8V
    漏源电压(Vdss)20V20V20V20V
    漏极电流3.1A-4A5A
    阈值电压1V@250µA-1V@250µA850mV@250µA
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    连续漏极电流3.1A4.5A3.5A5A
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    制造商标准提前期15 周-16 周16 周
    击穿电压20V20V20V20V
    栅极源极击穿电压±8V±12V±8V±8V
    反向传输电容Crss55pF155pF80pF80pF
    充电电量5.5nC10nC9.3nC9.3nC
    功率耗散860mW1.25W1.5W1.5W
    品牌VishayVBsemiAOSAOS
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
    额定功率860mW,1.6W-1.5W1.5W
    高度1.00mm1.12mm1.25mm1.25mm
    是否无铅Yes-YesYes
    类型1个P沟道-1个P沟道1个P沟道
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)112mΩ@4.5V,2.8A43mΩ43mΩ@4.5V,4A45mΩ@4.5V,4A
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.VBsemi Electronics Co. LtdAlpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    原产国家AmericaChina TaiwanAmericaAmerica
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    输入电容405pF@10V835pF1.45nF@10V940pF@10V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V-1.5V,4.5V1.5V,4.5V
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    脚间距1.9mm---
    系列TrenchFET®---
    认证信息--RoHSRoHS
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照