尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    FDV304PDMP3030SN-7、DMP2035U-7、IRLML5203TRPBF 的区别

    FDV304P

    制造商:ON

    最优价格:¥0.23014

    查看详情

    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

    查看详情 查看数据资料

    DMP2035U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.35492

    查看详情

    IRLML5203TRPBF

    制造商:Infineon

    最优价格:¥0.37799

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    连续漏极电流460mA700mA3.6A3A
    阈值电压1.5V@250µA3V@1mA1V2.5V@250µA
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    栅极电荷(Qg)1.5nC-15.4nC-
    工作温度-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    FET功能----
    Vgs(Max)±8V±20V±8V±20V
    配置单路单路-单路
    漏极电流460mA-3.6A3A
    封装/外壳SOT-23SC59SOT-23SOT-23
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)25V30V20V30V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedInfineon Technologies AG
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.7V,4.5V4.5V,10V1.8V,4.5V4.5V,10V
    认证信息RoHS--RoHS
    原产国家America-AmericaGermany
    元件生命周期Active-ActiveActive
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    高度1.00mm1.40mm1.03mm1.12mm
    输入电容63pF160pF@10V1.61nF510pF@25V
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    品牌ONDIODESDIODESInfineon
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1Ω@4.5V,500mA250mΩ@10V,400mA35mΩ@4.5V,4A98mΩ@10V,3A
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率350mW500mW810mW1.25W
    击穿电压25V--30V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压±8V±20V±8V±20V
    反向传输电容Crss10pF-145pF43pF
    充电电量1.1nC-15.4nC9.5nC
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    功率耗散350mW500mW810mW1.25W
    系列---HEXFET®
    存储温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    制造商标准提前期9 周8 周8 周-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    引脚数3Pin-3Pin3Pin
    脚间距--1.92mm-
    印字代码---XYWLC
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照