尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    FDV304PDMP2035U-7、IRLML5203TRPBF、DMG2305UX-7 的区别

    FDV304P

    制造商:ON

    最优价格:¥0.23096

    查看详情

    DMP2035U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.35492

    查看详情

    IRLML5203TRPBF

    制造商:Infineon

    最优价格:¥0.37799

    查看详情 查看数据资料

    DMG2305UX-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.16791

    查看详情
    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)25V20V30V20V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    连续漏极电流460mA3.6A3A4.2A
    阈值电压1.5V@250µA1V2.5V@250µA900mV
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    栅极电荷(Qg)1.5nC15.4nC-10.2nC
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    FET功能----
    Vgs(Max)±8V±8V±20V±8V
    配置单路-单路-
    漏极电流460mA3.6A3A4.2A
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压±8V±8V±20V±8V
    反向传输电容Crss10pF145pF43pF-
    充电电量1.1nC15.4nC9.5nC10.2nC
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    功率耗散350mW810mW1.25W1.4W
    系列--HEXFET®-
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-
    制造商标准提前期9 周8 周-8 周
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies AGDiodes Incorporated
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.7V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V1.8V,4.5V
    认证信息RoHS-RoHS-
    原产国家AmericaAmericaGermanyAmerica
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    高度1.00mm1.03mm1.12mm1.00mm
    输入电容63pF1.61nF510pF@25V808pF
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    品牌ONDIODESInfineonDIODES
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1Ω@4.5V,500mA35mΩ@4.5V,4A98mΩ@10V,3A52mΩ@4.5V,4.2A
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率350mW810mW1.25W1.4W
    击穿电压25V-30V20V
    脚间距-1.92mm--
    印字代码--XYWLC-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照