FDV304P 与
DMP2035U-7、IRLML5203TRPBF、DMG2305UX-7 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | 20V | 30V | 20V |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 连续漏极电流 | 460mA | 3.6A | 3A | 4.2A |
| 阈值电压 | 1.5V@250µA | 1V | 2.5V@250µA | 900mV |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 栅极电荷(Qg) | 1.5nC | 15.4nC | - | 10.2nC |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±8V | ±8V | ±20V | ±8V |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | - |
| 漏极电流 | 460mA | 3.6A | 3A | 4.2A |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
| 栅极源极击穿电压 | ±8V | ±8V | ±20V | ±8V |
| 反向传输电容Crss | 10pF | 145pF | 43pF | - |
| 充电电量 | 1.1nC | 15.4nC | 9.5nC | 10.2nC |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 功率耗散 | 350mW | 810mW | 1.25W | 1.4W |
| 系列 | - | - | HEXFET® | - |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
| 制造商标准提前期 | 9 周 | 8 周 | - | 8 周 |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Infineon Technologies AG | Diodes Incorporated |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.7V,4.5V | 1.8V,4.5V | 4.5V,10V | 1.8V,4.5V |
| 认证信息 | RoHS | - | RoHS | - |
| 原产国家 | America | America | Germany | America |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm |
| 高度 | 1.00mm | 1.03mm | 1.12mm | 1.00mm |
| 输入电容 | 63pF | 1.61nF | 510pF@25V | 808pF |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 品牌 | ON | DIODES | Infineon | DIODES |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@4.5V,500mA | 35mΩ@4.5V,4A | 98mΩ@10V,3A | 52mΩ@4.5V,4.2A |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 额定功率 | 350mW | 810mW | 1.25W | 1.4W |
| 击穿电压 | 25V | - | 30V | 20V |
| 脚间距 | - | 1.92mm | - | - |
| 印字代码 | - | - | XYWLC | - |
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