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BC847B,2150402CG100J500NT、CL05C100JB51PNC、GJM1555C1H100JB01D 的区别

BC847B,215

制造商:Nexperia

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0402CG100J500NT

制造商:FH

最优价格:¥0.00272

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CL05C100JB51PNC

制造商:Samsung

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GJM1555C1H100JB01D

制造商:Murata

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ECCN编码
晶体管类型NPN---
集射极击穿电压Vce(Max)45V---
安装类型SMTSMTSMTSMT
包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
DC电流增益(hFE)200~450---
跃迁频率100MHz---
Vce饱和压降200mV---
配置单路---
工作温度+150℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃
封装/外壳SOT-23040204020402
品牌NexperiaFHSamsungMuRata
引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
印字代码1F%---
是否无铅YesYes--
原产国家ChinaChina--
原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd.Samsung Electro-MechanicsMurata Manufacturing Co., Ltd.
最小包装3000pcs10000pcs4000pcs-
制造商标准提前期8 周---
高度1.10mm0.50mm0.55mm0.50mm
集电极截止电流 (Icbo)15nA(ICBO)---
集电极-发射极电压 VCEO45V---
集电极电流 Ic100mA---
系列--CLGJM
功率耗散250mW---
长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm
零件状态ActiveActiveActiveActive
存储温度-65℃~+150℃---
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
发射极与基极之间电压 VEBO6V---
集电极-基极电压(VCBO)50V---
极性NPN---
特性-Original-High Q, Low Loss
等级--AEC-Q200-
成分-Ceramic--
精度-±5%±5%±5%
容值-10pF10pF10pF
额定电压-50V50V50V
应用领域-ConsumerAutomotiveRF, Microwave, High Frequency
卷盘尺寸-Φ180mm--
元件生命周期-Active--
认证信息-RoHS--
电介质-C0G(NP0)C0G(NP0)C0G(NP0)
脚间距---0.75mm
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