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L6390DTR 与
LM358WDT、LM358DR、LM2904DT 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作电压 | 12.5V~20V | - | - | - |
| 引脚数 | 16Pin | 8Pin | - | 8Pin |
| 封装/外壳 | SO-16N_9.9X3.9MM | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 通道类型 | Independent | - | - | - |
| 输出类型 | - | - | - | - |
| 上升/下降时间 | 75ns，35ns | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | - | SMT |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | - | - | - |
| 高度 | 1.38mm | 1.38mm | - | 1.37mm |
| 长x宽/尺寸 | 9.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | - | 4.90 x 3.90mm |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 1.1V，1.9V | - | - | - |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 290mA，430mA | - | - | - |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | - | - | - |
| 输入类型 | Non-Inverting | - | - | - |
| 通道数 | 2 | 2 | - | 2 |
| 是否无铅 | Yes | - | - | - |
| 电源电压 | 12.5V~20V | - | - | 3V~36V |
| 系列 | - | - | - | - |
| 驱动器数 | 2 | - | - | - |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | - | - | - |
| 品牌 | ST | - | - | Rohm |
| 原始制造商 | STMicroelectronics | - | - | Rohm Co.,Ltd. |
| 峰值灌电流 | 430mA | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | 0℃~+70℃ | - | -40℃~+125℃ |
| 峰值拉电流 | 290mA | - | - | - |
| 下降时间 | 35ns | - | - | - |
| 电源电压，单/双（±） | - | 3V~32V,±1.5V~16V | - | 3V~32V,±1.5V~16V |
| 输入偏置电流 | - | 20nA | - | 20nA |
| 增益带宽积（GBP） | - | 1.1MHz | - | 1.1MHz |
| 压摆率 | - | 600mV/μs | - | 600mV/μs |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 每个通道的输出电流 | - | 20mA | - | 20mA |
| 工作电流 | - | 700μA | - | 700μA |
| 输出电流 | - | 40mA | - | - |
| 输入失调电压(Vos) | - | 2mV | - | 2mV |
| 放大器类型 | - | 通用 | - | 通用 |
| -3db带宽 | - | - | - | - |
| 元件生命周期 | - | - | - | Active |
| 最小包装 | - | - | - | 2500pcs |
| 共模抑制比 - CMRR | - | - | - | 85dB |
| 原产国家 | - | - | - | Japan |
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