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    DSEI12-12ASMMBT3906LT1G、MMBT3906Q-7-F、MMBT3906T-7-F 的区别

    DSEI12-12A

    制造商:IXYS

    最优价格:¥11.28124

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    SMMBT3906LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.21885

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    MMBT3906Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.14980

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    MMBT3906T-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.11943

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    ECCN编码
    正向压降VF2.6V---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    速度快速恢复=<500ns,>200mA(Io)---
    二极管类型标准---
    包装管件 Tape/reel-剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    反向恢复时间(trr)70ns---
    反向漏电流IR250µA@1200V---
    反向耐压VR1.2KV---
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳TO-220-2SOT-23SOT-23SOT-523-3
    工作温度-结-40°C~150°C---
    平均整流电流11A---
    系列----
    零件状态ActiveActive-Active
    长x宽/尺寸10.66 x 4.82mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm1.60 x 0.80mm
    制造商标准提前期8 周12 周--
    高度9.15mm1.11mm0.98mm0.80mm
    是否无铅YesYes-Yes
    工作温度--65℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    晶体管类型-PNPPNPPNP
    配置-单路--
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    Vce饱和压降-400mV-400mV
    跃迁频率-250MHz-250MHz
    DC电流增益(hFE)-300100@10mA,1V100~300
    存储温度--65℃~+150℃--
    功率耗散-300mW-150mW
    特征频率(fT)-250MHz250MHz250MHz
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-5V
    额定功率-300mW310mW150mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-40V400mV@50mA,5mA40V
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    集电极-基极电压(VCBO)-40V-40V
    元件生命周期-Active--
    集电极电流 Ic-200mA200mA200mA
    极性-PNP--
    品牌-ON-DIODES
    印字代码-2A--
    原产国家-America--
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.--
    集电极截止电流 (Icbo)----
    最小包装-3000pcs--
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