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    H8553VBNACB0530WS-7-F、B0530W-7-F、MBR0520LT1G 的区别

    H8553VBNAC

    制造商:Bulgin

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    B0530WS-7-F

    制造商:DIODES

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    B0530W-7-F

    制造商:DIODES

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    MBR0520LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    原始制造商BulginDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    二极管类型-肖特基肖特基肖特基
    反向峰值电压(最大值)-30V30V20V
    反向耐压VR-30V30V20V
    功率耗散(最大值)-235mW410mW-
    平均整流电流-500mA500mA500mA
    正向压降VF-450mV430mV385mV
    包装-Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    反向恢复时间(trr)----
    工作温度-结--40°C~125°C-65°C~125°C-65°C~125°C
    二极管配置-单路单路单路
    封装/外壳-SOD-323SOD-123SOD-123
    工作温度--40℃~+125℃(TJ)-65℃~+125℃(TJ)-65℃~+125℃(TJ)
    安装类型-SMTSMTSMT
    反向漏电流IR-500µA130µA250µA
    是否无铅-NoYesYes
    品牌-DIODESDIODESOnsemi
    正向压降VF Max-450mV430mV385mV
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-2A5.5A5.5A
    反向击穿电压-30V30V-
    总电容C-58pF170pF-
    存储温度--40~+125℃-65~+125℃-65~+150℃
    引脚数-2Pin2Pin2Pin
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    系列----
    认证信息-RoHS, AEC-Q101RoHS-
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    长x宽/尺寸-1.80 x 1.40mm2.85 x 1.70mm2.69 x 1.60mm
    高度-1.10mm1.45mm1.35mm
    应用-通用通用通用
    脚间距-2.2mm3.37mm-
    制造商标准提前期---22 周
    正向压降VF Min---220mV
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