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    1507272ZXMN2A14FTA、SI2302CDS-T1-E3、SI2302CDS-T1-GE3 的区别

    1507272

    制造商:Phoenix

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    ZXMN2A14FTA

    制造商:DIODES

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    SI2302CDS-T1-E3

    制造商:Vishay

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    SI2302CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

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    ECCN编码
    FET功能----
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)-±12V±8V±8V
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    栅极电荷(Qg)-6.6nC5.5nC5.5nC
    连续漏极电流-3.4A2.6A2.6A
    安装类型-SMTSMTSMT
    阈值电压-700mV@250µA850mV@250µA850mV@250µA
    配置-单路单路单路
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    原始制造商-Diodes IncorporatedVishay Intertechnology, Inc.Vishay Intertechnology, Inc.
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    系列--TrenchFET®TrenchFET®
    功率耗散-1W710mW710mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.5V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,4.5V
    制造商标准提前期-10 周19 周19 周
    品牌-DIODESVishayVishay
    是否无铅-YesYesYes
    额定功率-1W710mW710mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-60mΩ@3.4A,4.5V57mΩ@4.5V,3.6A57mΩ@4.5V,3.6A
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.95 x 1.30mm
    输入电容-544pF--
    高度-0.98mm1.12mm1.00mm
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    原产国家--AmericaAmerica
    元件生命周期--ActiveActive
    击穿电压--20V20V
    栅极源极击穿电压--±8V±8V
    充电电量--3.5nC3.5nC
    漏极电流---2.6A
    脚间距---1.9mm
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