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1507272 与
SI2302CDS-T1-E3、SI2302CDS-T1-GE3、AO3414 的区别
制造商：Phoenix 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.56622 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.23576 查看详情 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.26640 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | - | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±8V | ±8V |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 栅极电荷(Qg) | - | 5.5nC | 5.5nC | - |
| 连续漏极电流 | - | 2.6A | 2.6A | 2.5A |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | - | 850mV@250µA | 850mV@250µA | 1V@250µA |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| 输入电容 | - | - | - | 436pF |
| 击穿电压 | - | 20V | 20V | 20V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ±8V | ±8V |
| 品牌 | - | Vishay | Vishay | AOS |
| 充电电量 | - | 3.5nC | 3.5nC | 2.9nC |
| 功率耗散 | - | 710mW | 710mW | 1.4W |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 原始制造商 | - | Vishay Intertechnology, Inc. | Vishay Intertechnology, Inc. | Alpha and Omega Semiconductor |
| 原产国家 | - | America | America | America |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.92 x 1.30mm | 2.95 x 1.30mm | 2.90 x 1.60mm |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 高度 | - | 1.12mm | 1.00mm | 1.25mm |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 系列 | - | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
| 额定功率 | - | 710mW | 710mW | 1.4W |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 57mΩ@4.5V,3.6A | 57mΩ@4.5V,3.6A | 50mΩ@4.5V,4.2A |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 2.5V，4.5V | 2.5V，4.5V | 1.8V，4.5V |
| 制造商标准提前期 | - | 19 周 | 19 周 | 16 周 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 漏极电流 | - | - | 2.6A | 3A |
| 脚间距 | - | - | 1.9mm | - |
| 反向传输电容Crss | - | - | - | 27pF |
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